SK Hynix показала первые DDR5 чипы памяти

В четверг SK Hynix рассказала о том, что они завершили разработку их первого DDR5 чипа. Новый чип имеет емкость в 16 Гб и является первым в индустрии DRAM, который полностью совместим с ещё неопубликованным JEDEC стандартом. Массовое производство данных DDR5 чипов запланировано на 2020 год.

Новый DDR5 чип от SK Hynix поддерживает эффективную частоту в 5200 МГц, что на 60% быстрее, чем официально поддерживаемые 3200 МГц стандартом DDR4. DRAM работает при напряжении в 1,1 В, что на 9% меньше, по сравнению с DDR4. Монолитный чип сделан с помощью второго поколения 10нм тех. процесса, разработанного SK Hynix, однако компания пока не раскрывает других подробностей об их новом продукте.

Эксперты SK Hynix прогнозируют, что их DDR5 линейка будет включать в себя чипы ёмкостью 8, 16 и 32 Гб, работающие на частоте от 3200 до 6400 МГц.

Помимо анонса чипа памяти, SK Hynix также продемонстрировала первый регистровый модуль памяти DDR5. Данный модуль предлагает пиковую пропускную способность памяти в 41,6 Гб/с, что соответствует показателям экстремально разогнанных модулей DDR4. Модуль DDR5 включает в себя 288 контактов на немного закругленном краю.  Компоновка и дизайн немного отличаются от DDR4 модулей, чтобы избежать установки DDR5 модулей в слоты DDR4 и наоборот.

Также SK Hynix сообщила, что новые RDIMM (регистровые модули) и UDIMM (потребительские модули) уже доставлены "основному производителю чипсетов" чтобы помочь в разработке серверных и потребительских платформ, поддерживающих новый тип памяти.

SK Hynix планирует начать массовое производство DDR5 памяти где-то в 2020 году, когда на рынке появятся платформы, поддерживающие новый тип памяти.

Ожидается, что DDR5 память будет работать на частоте в диапазоне от 4266 до 6400 МГц, при напряжении в 1,1 В (±3%). Помимо улучшения производительности, новый тип памяти предлагает большую ёмкость модулей. Планируется, что ёмкость чипов DDR5 будет составлять 16 Гб и выше.

Новый стандарт также будет включать несколько основных улучшений в дизайне модулей памяти, которые призваны увеличить реальную производительность и большую пропускную способность памяти. Например, каждый модуль DDR5 будет иметь два независимых 32/40-битных канала. Помимо того, DDR5 будет иметь большую эффективность управляющей шины (так как каналы будут иметь свои собственные 7-битные Add/Cmd шины), лучшие схемы обновления, увеличенные банки для лучшей производительности.

В прошлом месяце Candence заявила, что DDR5 будет предоставлять 36% прирост пропускной способности на одной с DDR4 частоте. Пока мы не можем протестировать новые модули памяти, но улучшения DDR5, по сравнению с DDR4, выглядят впечатляюще.